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| Laffite, Ernesto Dante Rodriguez |
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Zach, Franz
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Topics
Publications (18/18 displayed)
- 2022Einleitung
- 2022Neuere aktive Bauelemente, Ansteuerungen und Beschaltungen
- 2022Analyse und Regelungen von Schaltnetzteilen
- 2022Strukturen der Schaltnetzteile
- 2022Schaltungen mit über das Gate abschaltbaren Bauelementen
- 2022Passive Bauelemente und Dimensionierungsbeispiele
- 2022Neuere Methoden der elektromagnetischen Verträglichkeit, CE-Kennzeichnung
- 2022Zeitschriften, Normen und Vorschriften, Konferenzen und Sammelwerke
- 2022Funkstörungen (elektromagnetische Beeinflussungen, EMB) und elektromagnetische Verträglichkeit (EMV)
- 2022Netz- und Lastverhalten leistungselektronischer Schaltungen
- 2022Anwendungen und spezielle Probleme der Leistungselektronik (Ergänzungen und Überblick)
- 2022Mathematische und elektrotechnische Grundlagen
- 2022Leistungsteil leistungselektronischer Schaltungen
- 2022Bauelemente der Leistungselektronik
- 2022Steuerung und Betrieb leistungselektronischer Schaltungen (Steuerungskreise, Schaltungen für Antriebe und Regelungen)
- 2022Erratum zu: Leistungselektronik
- 2022Spezielle Methoden und Anwendungen
- 2022Optimierung von Netzrückwirkungen und Lastharmonischen
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document
Schaltungen mit über das Gate abschaltbaren Bauelementen
Abstract
Abbildung 13.1 zeigt das Prinzip eines Gleichstromstellers mit Bauelementen, die über das Gate abschaltbar sind. Darunter werden alle Bauteile (Ventile) verstanden, auf die diese Eigenschaft zutrifft, d. h. bei denen nicht wie bei Thyristoren eine Abschaltung durch Aufbringen einer Anoden-Kathodenspannung ≤ 0 erfolgen muß. MGDs steht für MOS-Gated-Device (siehe Kapitel 10), GTO ∗ für Gate-Turn-Off-Thyristoren (Abschnitte 10.4 und 10.7); an ihrer Stelle wären aber auch Bipolartransistoren einsetzbar.
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