People | Locations | Statistics |
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Tekkaya, A. Erman |
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Förster, Peter |
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Mudimu, George T. |
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Shibata, Lillian Marie |
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Talabbeydokhti, Nasser |
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Laffite, Ernesto Dante Rodriguez |
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Schöpke, Benito |
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Gobis, Anna |
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Alfares, Hesham K. |
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Münzel, Thomas |
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Joy, Gemini Velleringatt |
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Oubahman, Laila |
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Filali, Youssef |
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Philippi, Paula |
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George, Alinda |
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Lucia, Caterina De |
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Avril, Ludovic |
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Belachew, Zigyalew Gashaw |
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Kassens-Noor, Eva | Darmstadt |
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Cho, Seongchul |
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Tonne, Cathryn |
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Hosseinlou, Farhad |
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Ganvit, Harsh |
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Schmitt, Konrad Erich Kork |
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Grimm, Daniel |
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Zach, Franz
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Topics
Publications (18/18 displayed)
- 2022Einleitung
- 2022Neuere aktive Bauelemente, Ansteuerungen und Beschaltungen
- 2022Analyse und Regelungen von Schaltnetzteilen
- 2022Strukturen der Schaltnetzteile
- 2022Schaltungen mit über das Gate abschaltbaren Bauelementen
- 2022Passive Bauelemente und Dimensionierungsbeispiele
- 2022Neuere Methoden der elektromagnetischen Verträglichkeit, CE-Kennzeichnung
- 2022Zeitschriften, Normen und Vorschriften, Konferenzen und Sammelwerke
- 2022Funkstörungen (elektromagnetische Beeinflussungen, EMB) und elektromagnetische Verträglichkeit (EMV)
- 2022Netz- und Lastverhalten leistungselektronischer Schaltungen
- 2022Anwendungen und spezielle Probleme der Leistungselektronik (Ergänzungen und Überblick)
- 2022Mathematische und elektrotechnische Grundlagen
- 2022Leistungsteil leistungselektronischer Schaltungen
- 2022Bauelemente der Leistungselektronik
- 2022Steuerung und Betrieb leistungselektronischer Schaltungen (Steuerungskreise, Schaltungen für Antriebe und Regelungen)
- 2022Erratum zu: Leistungselektronik
- 2022Spezielle Methoden und Anwendungen
- 2022Optimierung von Netzrückwirkungen und Lastharmonischen
Places of action
Organizations | Location | People |
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document
Neuere aktive Bauelemente, Ansteuerungen und Beschaltungen
Abstract
Bereits in Kapitel 3 wurden die Bauelemente der „klassischen“ Leistungselektronik behandelt. Unter dieser soll die Schaltungstechnik, die schon bis ca. 1985 entwickelt wurde, verstanden warden*. Im vorliegenden Kapitel sollen nun neue Bauelemente, die auch bei größeren Leistungen (als seinerzeit bei Transistoren üblich) über das Gate abschaltbar sind, im Detail vorgestellt werden. Dazu kommen weiters neue Technologien (wie Siliziumkarbid bei Dioden) und ergänzende Überlegungen zum Schaltverhalten (z. B. auch für Dioden und Transistoren), sowie neue Schaltungskonzepte.
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